图片
光刻胶
基片
非光刻涂层
湿法工艺材料
封装材料
设备
辅助化学品
探针
湿法工艺材料

光刻胶
| 紫外负性光刻胶
| 紫外正性光刻胶
 | 电子束曝光胶
| 纳米压印胶

紫外负性光刻胶 - 湿法工艺

品牌
产地 型号 曝光 应用 特性 对生产量的影响
Futurrex 美国  NP9–250P i线曝光用粘度增强负胶系列

 

 

在设计制造中替代基于聚异戊二烯双叠氮(Polyioprene-Bisazide)的负胶。



 

 

在湿刻和电镀应用时超强的粘附力;很容易用去胶液去除。     单次旋涂厚度范围如下:﹤0.1~200 μm可在i、g以及h-line波长曝光

避免了基于有机溶剂的显影和冲洗过优于传统正胶的优势:控制表面形貌的优异线宽 任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁
单次旋涂即可获得200 μm胶厚
厚胶同样可得到优越的分辨率
150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间
优异的感光度进而增加曝光通量
更快的显影,100 μm的光刻胶显影仅需6 ~ 8分钟光刻胶曝光时不会出现气泡
可将一种显影液同时应用于负胶和正胶
不必使用增粘剂如HMDS

NP9–1000P
NP9–1500P
NP9–3000P
NP9–6000P
NP9–8000
NP9–8000P
NP9–20000P
NP9G–250P g和h线曝光用粘度增强负胶系列
NP9G–1000P
NP9G–1500P
NP9G–3000P
NP9G–6000P
NP9G–8000
Micro Resist 德国 ma-N 400 宽带或i线曝光 0.5 ~ 20 μm胶厚


非常适合作为刻蚀掩模,极好的抗干刻、湿刻性能;优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力;优异的电镀性能(酸和碱性镀液中极高的稳定性);光刻胶图案良好的热稳定性;碱性水溶液下显影;

品牌
产地 型号 甩胶范围 应用
GES 瑞士 GM1010 0.2 - 0.8 μm

可用于甩胶和喷涂

GM1040 0.8 - 10 µm 可用于甩胶、喷涂和喷墨打印
GM1050 3 - 8 µm 可用于甩胶和喷墨打印 
GM1060 10 - 50 µm 可用于甩胶和喷墨打印
GM1070 50 - 250 µm 可用于甩胶和喷墨打印
GM1075 250 - 350 µm 可用于甩胶和喷墨打印

紫外负性光刻胶 - 干刻工艺

品牌 产地 型号 曝光  应用 特性 优于正胶的优势
Futurrex 美国  NR71-250P i线曝光的高级
加工负胶系列

 替代用
于RIE
 加工及
 离子植
  入的正胶
     在RIE加工时优异
     的选择性以及在离
     子注入时优异的高
     温耐受能力
     厚度范围:﹤0.1~
     200μm
     可在i、g以及h-line
     波长曝光

控制表面形貌的优异线宽
任意甩胶厚度都可得到笔直的侧壁
单次旋涂即可获得200 μm胶厚
厚胶同样可得到优越的分辨率
150 ℃软烘烤的应用可缩短烘烤时间
优异的感光度进而增加曝光通量
更快的显影,100 μm的光刻胶显影仅需6 ~ 8分钟
光刻胶曝光时不会出现气泡
可将一种显影液同时应用于负胶和正胶
优异的温度阻抗直至180 ℃
在反应离子束刻蚀或离子减薄时非常容易地增加能量密度,从而提高刻蚀速度和刻蚀通量
非常容易进行高能量离子注入
不必使用增粘剂如HMDS

NR71-350P
NR71-1000P
NR71-1500P
NR71-3000P
NR71-6000P
NR5-8000
NR71G-250P g和h线曝光的高
级加工负胶系列
NR71G-350P
NR71G-1000P
NR71G-1500P
NR71G-3000P
NR71G-6000P
NR5G-8000
Micro Resist 德国 ma-N1400 宽带或
i线曝光
0.5~ 20μm胶厚

    

非常适合作为刻蚀掩模,极好的抗干刻、湿刻性能;优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力;优异的电镀性能(酸和碱性镀液中极高的稳定性);光刻胶图案良好的热稳定性;碱性水溶液下显影;



紫外负性光刻胶 - lift-off工艺

品牌
产地 型号 厚度   曝光 应用 加工 特性
Futurrex 美国  NR71-1000PY 0.7μm~2.1μm 高温耐受 用于i线曝光的负胶

    LEDOLED、

    显示器、

    MEMS、

    封装、

    生物芯片等

    金属和介电
    质上图案化,
    不必使用RIE
    加工器件的永
    久性组成
   (OLED显示
    器上的间隔
    区)凸点、
    互连、空中
    连接微通道
    显影时形成光刻胶倒
    梯形结构
    厚度范围:
    0.5~20.0 μm
    i、g和h线曝光波长
    曝光
    对生产效率的影响:
    金属和介电质图案化
    时省去干法刻蚀加工
    不需要双层胶技术
NR71-1500PY  1.3μm~3.1μm
NR71-3000PY 2.8μm~6.3μm
NR71-6000PY 5.7μm~12.2μm
NR9-100PY 0.7μm~2.1μm 粘度增强
NR9-1500PY 1.3μm~3.1μm
NR9-3000PY 2.8μm~6.3μm
NR9-6000PY 5.7μm~12.2μm
NR71G-1000PY 0.7μm~2.1μm 高温耐受  负胶对  g、h线波长的灵敏度
NR71G-1500PY 1.3μm~3.1μm
NR71G-3000PY 2.8μm~6.3μm
NR71G-6000PY 5.7μm~12.2μm
NR9G-100PY 0.7μm~2.1μm 粘度增强
NR9G-1500PY 1.3μm~3.1μm
NR9G-3000PY 2.8μm~6.3μm
NR9G-6000PY 5.7μm~12.2μm
Micro Resist 德国 ma-N 400 宽带或
i线曝光
0.5~20μm胶厚

 

非常适合作为刻蚀掩模,极好的抗干刻、湿刻性能;优异地利用PVD和lift-off加工进行图案转移能力;优异的电镀性能(酸和碱性镀液中极高的稳定性);光刻胶图案良好的热稳定性;碱性水溶液下显影;

ma-N 1400
品牌
产地 型号 甩胶范围 应用
GES 瑞士 GM1010 0.2 - 0.8 μm 可用于甩胶和喷涂
GM1040 0.8 - 10 µm 可用于甩胶、喷涂和喷墨打印
GM1050 3 - 8 µm 可用于甩胶和喷墨打印 
GM1060 10 - 50 µm 可用于甩胶和喷墨打印
GM1070 50 - 250 µm 可用于甩胶和喷墨打印
GM1075 250 - 350 µm 可用于甩胶和喷墨打印

   注:如在产品介绍中未能发现合适的产品或需要更详细的技术信息,敬请联系我们!

 
脚注信息
 Contact Us: info@cssid.com.cn  400-008-6682   中国.西安
Copyright(C)2016 陕西思的信息资讯有限公司